리뷰의 가치

100% 내돈내산 제품만 리뷰합니다.

카테고리 없음

1. 캐리어생성 캐리어 생성 및 재결합은 반도체 재료에서 발생하는 두 가지 기본 공정으로 반도체 소자의 작동에 중요한 역할을 합니다. 캐리어 생성은 반도체 물질 내에서 전자-홀 쌍이 생성되는 과정을 의미합니다. 이것은 빛에 노출되거나(포토다이오드 또는 태양전지의 경우) 전기장의 적용(트랜지스터와 같은 반도체 장치의 경우)과 같은 다양한 메커니즘을 통해 발생할 수 있습니다. 반면에, 캐리어 재결합은 반도체 물질 내의 전자-홀 쌍이 서로 결합하고 중화하여 열 또는 빛의 형태로 에너지를 방출하는 과정을 말합니다. 이 과정은 자발적으로 일어날 수 있지만, 빛에 노출되거나 전기장의 적용과 같은 외부 자극에 의해 유도될 수도 있습니다. 반도체 재료 내의 캐리어 생성 및 재결합 속도는 재료의 전기적 특성과 재료로부터..

카테고리 없음

1. 캐리어 드리프트 캐리어 드리프트는 반도체 소재에 전장이 가해지면 발생하는 현상입니다. 반도체에는 두 가지 종류의 전하 운반체가 있습니다. 반도체 소재에 전기장이 가해지면, 이 캐리어들은 전기장에 반응하여 움직일 것입니다. 그러나, 재료에 불순물과 결함이 존재하기 때문에, 캐리어의 이동이 완전히 균일하지 않고, 재료의 일부 영역은 다른 영역보다 캐리어가 더 많을 수 있습니다. 캐리어의 이러한 불균일한 움직임을 캐리어 드리프트라고 합니다. 기본적으로 캐리어는 이러한 불순물과 결함의 존재로 인해 다소 무작위적인 방법으로 물질 내부에서 이동합니다. 이는 전도성의 변화와 같은 재료의 전기적 특성의 변화를 초래할 수 있습니다. 실질적인 측면에서 캐리어 드리프트는 반도체 장치의 성능에 중요한 영향을 미칠 수 있..

카테고리 없음

1. 도너와 수용체 반도체에서 도너 및 수용체의 통계는 도핑된 반도체 물질에서 불순물 원자의 분포 및 거동을 나타냅니다. 도펀트라고도 알려진 이러한 불순물 원자는 반도체의 밴드갭 내에 추가적인 에너지 수준을 도입하여 자유 전하 캐리어의 농도를 증가시키고 물질의 전기적 특성을 변화시킬 수 있습니다. 도핑된 반도체에서 도너 및 수용체의 동작은 통계 역학을 사용하여 설명될 수 있습니다. 외인성 반도체에서 자유 전하 캐리어의 수는 도펀트의 농도, 온도, 도펀트와 반도체 물질의 에너지 수준에 따라 달라집니다. 저온에서는 대부분의 도펀트가 이온화되는데, 이는 그들이 전자를 기증하거나 받아들여 무료 전하 운반체를 만들었다는 것을 의미합니다. 온도가 증가함에 따라 더 많은 도펀트가 이온화되고, 자유 전하 캐리어의 농도..

카테고리 없음

1. 전하운반체 반도체 물질에서 전하 운반체는 물질을 통해 이동하고 전하를 운반하는 전자와 구멍입니다. 이러한 전하 캐리어의 거동은 트랜지스터 및 다이오드와 같은 반도체 소자의 기능에 매우 중요합니다. 순수한 반도체 물질에는 자유 전하 캐리어가 없으며, 물질은 전기를 전도하지 않습니다. 그러나, 도핑으로 알려진 공정인 반도체에 불순물을 의도적으로 도입함으로써, 물질이 전기를 전도하도록 만들 수 있습니다. 도핑은 기증자 원자로 알려진 여분의 전자를 가진 소량의 불순물을 첨가하거나 수용자 원자로 알려진 전자가 없는 불순물을 첨가함으로써 수행될 수 있습니다. 반도체에 공여 원자가 추가되면 물질을 통해 자유롭게 이동할 수 있는 여분의 전자를 제공하여 n형 도핑으로 알려진 음전하를 띤 캐리어를 과도하게 생성합니다..